型号:

NVB6410ANT4G

类别:FET - 单
制造商:GE Sensing
封装:圆盘形
描述:MSOFET N-CH 100V 76A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MSOFET N-CH 100V 76A D2PAK
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C76A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C13 毫欧 @ 76A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs120nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds4500pF @ 25V
功率_最大188W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA
供应商设备封装D²PAK
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市昌鸿誉科技有限公司张小姐/朱先生0755-82790236
瀚佳科技(深圳)有限公司李先生 李小姐0755-23140719
深圳市誉荣科技有限公司陈先生0755-83175665
深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-83234978/83229065
深圳市骏创达科技有限公司李小姐/雷先生0755-23964265/23610620
深圳市希普诚电子科技有限公司叶先生 李小姐0755-88914419/82561895
上海熠富电子科技有限公司蔡先生/陈小姐/谢先生13764057178 // 15821228847 // 021-31125138 // 021-31125028
深圳市昌鸿誉科技有限公司张小姐/朱先生0755-82790236
深圳市奥利通科技有限公司欧阳0755-23993320
深圳市诺洋电子科技有限公司余微0755-83223003